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SUNX傳感器選型資料

SUNX傳感器選型資料

產(chǎn)品型號: MC-SF4AH-20 587

所屬分類:SUNX傳感器

更新時間:2024-08-13

簡要描述:SUNX傳感器選型資料
 ±0.2%F.S. ±0.2%F.S.(測量距離有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射,測定結(jié)果可能會受到影響
  從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
  ? 漏電流:0.1mA以下
  紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS  ±0.3%F.S.電壓:30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規(guī)定

詳細(xì)說明:

SUNX傳感器選型資料
  0.03% F.S./℃ Z大流入電流:50mA
  ? 外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間)
  ? 剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時)200μm 300μm(測量距離200~400mm)
  800μm(測量距離400~600mm)
  ±0.2%F.S. ±0.2%F.S.(測量距離有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射,測定結(jié)果可能會受到影響
  從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
  ? 漏電流:0.1mA以下
  紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS  ±0.3%F.S.電壓:30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規(guī)定
  ,以FDA規(guī)則(21 CFR 104
  0.03% F.S./℃ Z大流入電流:50mA


  ?外加電壓:30V DC以下FDA規(guī)則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規(guī)定
  ,以FDA規(guī)則(21 CFR 1040.10以及1040.11)為基準(zhǔn)。
  測量距離的大小。按照光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。
  如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點(diǎn)范圍A以下(電源電壓12V DC時
  從2016年6月的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。
  自2017年3月的產(chǎn)品開始符合UL/c-UL。
  
  PNP開路集電極晶體管(測量距離400~600mm)
  溫度特性輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
  ?輸出阻抗:100Ω
  模擬電流輸出(注5)月前的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、0.10以及1040.11)為基準(zhǔn)。
  測量距離的大小。按照光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。
  如果定義區(qū)域外有漏光,并且檢測點(diǎn)范圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射,測定結(jié)果可能會受到影響
  從2016年6月的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。
  ? 漏電流:0.1mA以下
  紅色半導(dǎo)體激光 2[JIS  ±0.3%F.S.(測量距離400~600mm)
  溫度特性輸出范圍:0~5V(報警時:+5.2V)
  ?輸出阻抗:100Ω
  模擬電流輸出(注5)月前的產(chǎn)品: 40mA以下(電源電壓24V DC時)、200~400mm)
  ? 剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
  1.5ms/5ms/10ms 可切換
  ?輸出范圍:4~20mA(報警時:0mA)(控制輸出-0V之間)
  /IEC/GB/FDA(注2)]
  Z大輸出:1mW、投光波峰波長:655nm
  光束直徑
  約?300μm 約?500μm



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